国兴提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-I系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，国兴SJ-I系列产品提供雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用国兴自主创新技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。
       N沟道500-1050V系列SJ-I MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。

• 导通电阻低
• 栅极电荷低
• 开关速度出色
• 性价比极高
• 系统可靠性提高