12-150V P MOSFET
产品概览
国兴提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。
国兴基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供解决方案。
注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。
产品列表
Download Spreadsheet| Part Number | Technology | Product status | Package | Polarity | BVDSS (V) |
ID (A) |
VTH (V) |
RDS(ON) @10VTyp (mΩ) |
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ) |
QG (nC) |
PD (W) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI050P10EG1 | SGT-I | Coming Soon | TO-263-3L | P | -100 | -35.0 | -1.6 | 36.0 | 41.0 | 13.0 | |
| SI050P10DG1 | SGT-I | Coming Soon | TO-252-3L | P | -100 | -35.0 | -1.6 | 40.0 | 44.0 | 13.0 | |
| SI050P10PG1 | SGT-I | Coming Soon | TO-220C-3L | P | -100 | -35.0 | -1.6 | 41.0 | 46.0 | 13.0 | |
| SI050P10NG1 | SGT-I | Coming Soon | PDFN5x6-8L | P | -100 | -25.0 | -1.5 | 37.0 | 41.0 | 13.0 | |
| SI050P10N1 | SGT-I | Coming Soon | PDFN5x6-8L | P | -100 | -27.0 | -2.0 | 36.0 | 48.0 | 20.0 | |
| SI050P10MG1 | SGT-I | Coming Soon | PDFN3x3-8L | P | -100 | -26.0 | -2.0 | 38.0 | 51.0 | 20.0 | |
| SI050P10D1 | SGT-I | Coming Soon | TO-252-3L | P | -100 | -30.0 | -2.0 | 37.0 | 50.0 | 20.0 | |
| SI050P10TG1 | SGT-I | Coming Soon | SOT-223-3L | P | -100 | -9.7 | -2.0 | 40.0 | 53.0 | 20.0 | |
| SI050P10SG1 | SGT-I | Coming Soon | SOP-8L | P | -100 | -6.3 | -2.0 | 36.0 | 57.0 | 20.0 |
