产品分类

12-300V N MOSFET

产品概览
国兴提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品,以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性,在降低系统设计难度的同时,提供了性价比。广泛应用于开关电源(SMPS)中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及不间断电源(UPS)等领域。针对电源设计领域中,设计人员面临提高系统效率与功率密度,同时降低系统成本的双重挑战,国兴N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品凭借出色的导通电阻(RDS(on))与品质因子(FOM,RDS(on)×Qg)可实现快速硬开关,大幅度增强了应用效率,成为该挑战的完美解决方案。
       N沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装,为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。
       注:"SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。
  • 低导通电阻
  • 优良品质因子
  • 高可靠性
  • 高性价比
产品列表
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Part Number Technology Product status Package Polarity BVDSS
(V)
ID
(A)
VTH
(V)
RDS(ON)
@10VTyp
(mΩ)
RDS(ON)
@4.5VTyp
(mΩ)
QG
(nC)
PD
(W)
SI007N10NG1 SGT-I Production DFN5X6 N 100 80 1.5 6.5 8.0 50 100
SI007N10PG1 SGT-I Production TO-220-3L N 100 90 1.9 6.0 8.0 50 100
SI010N10NG1 SGT-I Production DFN5X6 N 100 70 1.0 9.0 10.0 50 100
SI010N10PG1 SGT-I Production TO-220-3L N 100 70 1.0 9.0 10.0 50 100
SI004N10NG1 SGT-I Production DFN5X6 N 100 160 1.2 3.6 5.0 53 85
SI004N10PG1 SGT-I Coming Soon TO-220 N 100 125 3.0 4.2 - 92 200
SI007N12NG1 SGT-I Production DFN5X6 N 120 85 2.0 7.5 - 58 110
SI007N12PG1 SGT-I Production TO-220 N 120 90 2.0 7.0 8.0 58 140
SI064N10PG1 SGT-I Coming Soon TO-220AS-3L N 100 114.0 2.7 5.3 - 38.0
SI007N10EG1 SGT-I Coming Soon TO-263-7L N 100 114.0 1.8 7.8 - 34.0
SI007N10KG1 SGT-I Coming Soon TO-251-3L N 100 82.0 1.7 6.7 8.5 34.0
SI007N10SG1 SGT-I Coming Soon SOP-8L N 100 12.0 1.8 7.4 9.2 34.0
SI090N10NG1 SGT-I Coming Soon PDFN5x6-8L N 100 77.0 1.7 7.0 8.9 25.0
SI090N10MG1 SGT-I Coming Soon PDFN3x3-8L N 100 67.0 1.7 7.6 9.7 25.0
SI010N10SG1 SGT-I Coming Soon SOP-8L N 100 20.0 1.6 7.5 9.4 -
SI010N10KG1 SGT-I Coming Soon TO-251-3L N 100 80.0 1.6 7.7 9.4 -
SIH01N10TG1 SGT-I Coming Soon SOT-23 N 100 3.0 1.7 112.0 131.0 -
SI007N12EG1 SGT-I Coming Soon TO-263-3L N 120 112.0 2.9 5.9 - 35.0